一、光刻工藝所需設備

一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。光刻過程中涉及到的試劑以及設備如下：

光刻膠： 又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部 分，得到所需圖像。

勻膠機：用于光刻工藝前的光刻膠旋涂。即在高速旋轉的基片上，滴注光刻膠，利用離心力使滴在基片上的膠液均勻地涂覆在基片上，厚度視不同膠液和基片間的粘滯系數而不同，也和旋轉速度及時間有關。

烘膠機：用于光刻工藝中的前烘和堅膜。在烘膠臺商烘干硅片，去除硅片上的水蒸氣，使光刻膠可以更加牢固的粘結在硅片表面。使用SU-8光刻膠制作掩膜版時還需進行后烘，將甩干后的硅片在烘膠臺上烘干再次烘干，使顯影后的光刻膠硬化，提高強度。

光刻機：將圖形轉移光刻膠上的過程，也就是將微結構臨時“復制”到硅片上的過程。

顯影液：將曝光后的圖形顯示出來

去膠液：去除表面多余的光刻膠

真空干燥箱：PDMS倒入制作好的模具后放入真空干燥箱快速干燥。

二、玻璃刻蝕需要用到搖床

三、微流控芯片鍵合所需設備

馬弗爐：玻璃+玻璃鍵合

等離子清洗機：PDMS+玻璃、PDMS+PDMS、硅片+PDMS鍵合

真空熱壓鍵合機：PMMA+PMMA、PC+PC鍵合

雙面膠：玻璃+PMMA、PMMA+PMMA鍵合

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