SU-8光刻膠的光刻工藝
新型的化學(xué)增幅型負(fù)像SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問題，十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)，因此SU-8膠是一種負(fù)性、環(huán)氧樹脂型、近紫外線光刻膠。它在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形;它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性;SU -8在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴(kuò)大負(fù)性膠，可以形成臺(tái)階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形;且SU-8膠不導(dǎo)電，在電鍍時(shí)可以直接作為絕緣體使用。由于它具有較多優(yōu)點(diǎn)，SU -8膠正被逐漸應(yīng)用于MFMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。直接采用SU -8光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件是微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。
光刻前清洗工藝：
為了獲得更好的光刻效果，在進(jìn)行光刻膠旋涂之前，需要對(duì)基材進(jìn)行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡，隨后用去離子水清洗并用氮?dú)獯蹈伞３酥膺€可以利用反應(yīng)離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。
SU-8光刻膠的光刻工藝
將SU-8光刻膠組分旋涂在基材上，施涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片隨后在95攝氏度下干燥20分鐘并隨后冷卻至室溫。然后，將負(fù)光掩模與涂覆晶片接觸并將所得組件用來自汞燈的紫外輻射在劑量250mJ/cm2，下進(jìn)行成像方式曝光。然后，通過在95攝氏度下加熱曝光晶片10分鐘而進(jìn)行熱處理，或曝光后烘烤。浮雕圖像隨后通過將晶片在顯影液中浸漬10分鐘隨后用水漂洗和在空氣中干燥而顯影。
膜厚與曝光時(shí)間關(guān)系表格（20mJ/cm2）
厚度/微米 | 曝光時(shí)間（min） |
1~40 | 0.75~3 |
45~75 | 3~5 |
80~110 | 6~15 |
115~150 | 15~20 |
160~225 | 20~30 |
膜厚與前烘時(shí)間關(guān)系表
厚度 | 前烘時(shí)間（min） | |
微米 | 65℃ | 95℃ |
0.5-2 | 1 | |
3-5 | 1-2 | |
6-15 | 2-3 | |
16-25 | 3-4 | |
25-40 | 0-3 | 5-6 |
45-80 | 0-3 | 6-9 |
85-100 | 3-5 | 10-20 |
115-150 | 5 | 20-30 |
160-225 | 5-7 | 30-45 |
膜厚與后烘時(shí)間關(guān)系表
厚度 | 后烘時(shí)間(min) | |
微米 | 65℃ | 95℃ |
0.5-2 | 1-2 | |
3-5 | 2-3 | |
6-15 | 3-4 | |
16-25 | 4-5 | |
25-40 | 1 | 5-6 |
45-80 | 1-2 | 6-7 |
85-100 | 2-5 | 8-10 |
115-150 | 5 | 10-12 |
160-225 | 5 | 12-15 |
膜厚與顯影時(shí)間關(guān)系表格
厚度/微米 | 顯影時(shí)間（min） |
25~40 | 1~3 |
45~75 | 2~5 |
80~110 | 2~7 |
115~150 | 3~9 |
160~225 | 4~15 |
標(biāo)簽: 光刻膠